第304章 突破性进展第四代同步辐射装置！（第1页）

“目前，第四代同步辐射光源技术，已经有突破性进展了。”

“我们已经向科技部门提交了相关技术验证。”

“最迟……今年下半年，可能就需要投建第四代同步辐射装置，进一步验证srf-fel-euv光刻厂项目。”

“……”

在同步辐射研究所。

李易了解到整个项目的核心：第四代同步辐射光源已经有突破性进展。

如此一来，想要真正研究和利用，要使用euv光源制造7n制程以下的芯片。

就需要第四代同步辐射装置。

“建！”

“资金方面不用担心，今年研发投入中，不包含第四代同步辐射装置建设费用。”

“硬件设备的建设费用我另外出。”

“不过，我希望同步辐射装置，能不能建设在沅江市？”

李易提出了自己的一个要求。

当初他也跟夏科院这边说过，投建同步辐射装置，可以放在自己家乡。

钱不是问题！

其次，这个第四代同步辐射装置，带来的不仅仅是一个设备。

更是几十上百个世界顶尖实验室。

srf-fel-euv光刻厂的核心，也是同步辐射装置。

李易去年5月回家，就跟家乡领导说过。

手里有正在投资研发保密项目的技术。

等到技术取得突破，会回家建厂。

依托srf-fel-euv光刻厂的技术，建设晶圆厂。

srf-fel-euv光刻厂，它只是芯片生产环节中的一环。

整个芯片生产环节有多个步骤。

依旧需要一个庞大的晶圆厂配套。

如果再加上同步辐射装置，需要1000多亩的土地储备。

仅仅同步辐射装置建设用地，就要900多亩。

搭配一个大型晶圆厂又要数百亩。